Proceso de Fabricacion Del Film de Antis Reflexivo .

Procès Tecnologic
Proporcionar materiales de crecimiento y fuentes de gas: Proporcionar materiales de crecimiento para la pelicula antiflexiva, como SiO en algunas realizaciones, mientras proporcionan fuentes de gas correspondientes a los materiales de crecimiento, como SiH ₄, N ₂ O, y N ₂ combinaciones de fuentes de gas.
Formation of anti reflection layer: Use the same growth material to sequentially form at least two anti reflection layers of anti reflection film on the substrate layer. The substrate layer can include SiO layer, Si layer, and absorption layer in sequence along the direction of film growth. Taking the two-layer anti reflection layer (first anti reflection layer and second anti reflection layer) as an example, it is formed by epitaxial growth process (such como plasma mejorate metodo de deposicion quimica PECVD). Las etapas específicas son las siguientes:
Tractament substrat: Después de proceso de limpieza de semicoconductores en la capa de substrato, coloque la capa de substrato en el equipo de deposicion CVD. .
Paramètres de paramètres d'equipament: Control la temperatura d'electrode superior de l'equipament de deposicion CVD a 200-300 gra e la temperatura d'electrode inferior a 250-350 gra .
Creissença de la primièra capa anti reflexion: Ajustar los primièrs paramètres de deposicion de l'equipament de deposicion CVD, inclusent lo primièr taus de flux de volum de SiH ₄, N ₂ O, e N ₂, la primièra pression de gas, la primièra poténcia RF de l'equipament de deposicion CVD, lo primièr temps de deposicion del filme prim, etc., o quina combinason que siá, per far créisser la primièra capa antireflexion amb una gamma d'espessor de10-200 e un interval d'indici de refractiva de 1.4-1.71.
Creissement d'una segonda capa anti reflexion: Ajustar los paramètres de la segonda deposicion de l'equipament de deposicion CVD, inclusent lo segond flux de flux de volum de SiH ₄, N ₂ O, e N ₂, la segonda pression de gas, la segonda poténcia RF de l'equipament de deposicion CVD, lo segond temps de deposicion del filme fina, etc' 10-200nm e una gamma d'indici refractiva de 1.4-1.71.

Avantatjas tecnicas
En utilizant lo meteis material de creissença, lo filme anti reflexion pòt aténher lo meteis efièch anti reflexion comparat als filmes antiflexions empilats de diferents materials, en redusent los tipes de fonts de gas utilizadas, en baissant la dificultat del procès de preparacion, e en aumentant l'espaci de preparacion e l'airal de trabalh a causa de l'emmagazinatge e de l'utilizacion de las fonts de gas pendent lo procès de preparacion escolara.

Procés de fabricacion de SiO hibrido ₂/TiO ₂ pelicula antiflexiva .

Procès Tecnologic
Preparacion del substrat: Seleccione substratos transparentes como vidrio, vidrio organico, pelicula de poliimido, etc., y realizar un tratamiento de eliminacion para asegurar una superficie . sin polvo limpia. Si se puede, se puede realizar, se puede realizar un pulido de un solo cara o de doble cara para mejorar la eficiencia de transmision ligera.
Se agrega la preparacion del precursor de la pelicula: tetratotoxisilan (TEOS) y titanato tetrabutil (TBT) a etanol conteniendo NH ₄ OH en una determinada proporcion, y la reaccion se mantiene para {9-12 horas para obtener un sol transparente - sistema de gel. .
Revestiment e curacion: lo sistèma de gel de sol preparat es uniformement revestit sul substrat transparent, e lo revestiment de spin, lo pulverizacion, lo cepòl e d'autres esquèmas pòdon èsser utilizats. Après lo revestiment, l'ibrid SiO ₂/TiO ₂ precursor de filmes es plaçat dins un forn per la curacion e lo tractament en recobrament, en formant una estructura de multi-capa.
Revestiment circular: Repetir lo procès de revestiment e de curacion fins que l'efièch antiflexiu desirat siá obtengut{. Diferents temps de revestiment e sequéncias afectaràn lo rendiment dels filmes antiflexius, e la recèrca e l'optimizacion son necessàrias. .
Tractament de superficia: Per aumentar la durabilitat e l'estabilitat del filme antiflexiu, una capa de polimèr idrofil e idrofòb pòt èsser recobrit sus la superfícia del filme antiflexiu. .

Procés de fabricacion de película antiflexiva infraroja .
Procès Tecnologic
L e film e d e l'anti reflexio n infraro r es t bas é su r l e silici , e t réduit s d e film s anti réflexion s su r le s deu x côté s d u substrat . L'éstructur e d u systèm e d e film e d u film e anti réflexion es t indépendant e l'un e d e l'autr e comm e (HL ) ^ S , o ù H représent e l a couch e d e Si , L représent e l a couch e d e SiO , S représent e l e périod e d e l'éstructur e basiqu e d e HL , e t l e valeu r d e S es t un e entéger entr e {1} La capa es t adjacent e à l a soustrête , . e la capa SiO es situada sus la superfícia. Lo procès de revestiment es utilizat per fixar la capa de filme al substrat, amb la capa de filme SiO coma la capa mai exteriora, qu'a una duretat de superfícia elevada e necessita pas una capa de proteccion suplementària. En mai d'aquò, SiO a un index refractiva mai bas, çò que pòt reduire la reflexion de superfícia e aumentar mai de transmission infraread.

Procés de fabricacion de CO CO ₂ laser resistente a alta temperatura ₂ pelicula antiflexiona .
procès tecnologic
Pre fondier de material: Se realiza el tratamiento de presion separado en fluoruro de yttrio, fluoruro de yttri de calcio, y materiales de película de selenide de zinc para eliminar las impurezas dentro de los materiales cinematograficos.
Capa de pelicula de deposicion: La primera capa de fluoruro de ytrio, capa de fluoruro de calcio de yttri, capa de selenide de zinc, y segundo capa de fluoruro de ytrio son secuencialmente depositada en una capa de substrato de selenido de zinc con un espesor de 3 ± 0.1mm por evaporacion de vacum{4}} La zona de cobertura de cada capa es sobre el 95% de la superficie de la capa de substrat. Los requisitos de espesor fisico para cada capa son los siguientes: la espesor fisico de la primera capa de fluoruro de yttrio es 95-100 nanometros; La espesor fisico de la capa de fluoruro de calcio de yterbio es 860-870 nanometros; La espesor fisico de la capa de selenide de zinc es 240-250 nanometros; La espesor fisico de la segunda capa de fluoruro yttrio es 95-100 nanometros.
 

Avantatjas tecnicas
La membrana anti reflexe preparada tiene una estructura simple y diseño exquisito. La combinacion de cuatro capas tiene las características de la resistencia al alta temperatura, la elevada capa de membrana firma, la tension complementaria entre las capas de membrana, y la no ruptura de las capas de membrana. Puede cumplir el funcionamiento continuo de los componentes en condiciones altas de temperatura, y los materiales utilizados en cada capa son no radioactivas, lo que no causará daño para los operadores para operadores y el ambient.